智能半导体分立器件综合参数测试仪IST-8800

    2018-10-16 13:40
智能半导体分立器件综合参数测试仪IST-8800

产品说明

半导体分立器件综合测试仪,全部智能化 ,可测J MOS型场效应管.三极管.二极管.齐纳管.可控硅.三端电源各种直流参数,带接口.

标配附件:

1.同轴引线的二极管测试夹
2.TO-220.202.237.126.92的测试夹
3.TO-5.18.39.205MA的测试夹
4.TO-3.66.204MA的测试夹
可选附件:1200伏高压适配器

主要特点

         本仪器是美国IST公司最新研制的产品(IST880的升级换代产品),采用Z80芯片,微机控制,液晶显示其测试条件及测量结果,可用于晶体三极管,二极管,齐钠二极管,J型场效应管,可控硅管,三端双向可控硅管和三端稳压器进行直流参数的测试,并可自动进行合格/不合格判断,对器件进行分选。本仪器并配有RS-232串联接口和IEE-488接口,可配接电脑数据记录仪打印机,打印出测试条件及结果。并可以对各类器件的预置测试条件进行存储。关机后仍可保存在机内,以备下一次的使用。

 

 

性能指标

(一)

  • 三极管 Icbo Iceo Ices Iebo Icev
    电流 电压 分辨率 误差
    0 200.0 nA 0 600V 0.1nA ±2%
    0 200μA 0 600V 1 nA ±1.5%
    0 200.0μA 0 600v 1.1μA ±1%
    0 20.00mA 0 500V 10μA ±1%
  • 三级管 BVcbo BVebo BVcer BVces BVcev
    电压 电流 分辨率 误差
    0 600V 0 30mA 3V ±1%
    0 30V 0 200mA 0.1V ±1%
  • 三极管 Vve(sat)Vbe(sat)
    电压 电流 分辨率 误差
    0 5V 0 5A 2mV ±2%
    0 2V 0 1A 1mV ±2%
  • 三极管 hFE
    量程 分辨率 误差
    hFE 0 5000 1 ±2%
    Vce 0 20V
    Ic 0 5A
    Ib 0 1A

(二)

  • 二极管Ir
    电流 电压 分辨率 误差
    0 200.0 nA 0 600V 0.1nA ±2%
    0 200.0μA 0 600V 1 nA ±1.5%
    0 2.00μA 0 600V 0.1μA ±1%
    0 20.00mA 0 500V 10μA ±1%
  • 二极管BVr
    电压 电流 分辨率 误差
    0 30V 0 200mA 0.1V ±2%
    0 600V 0 20mA 3V ±2%
  • 二极管Vf
    电压 电流 分辨率 误差
    0 5V 0 5A 2mV ±2%

(三)

  • 稳压二极管BVz
    电压 电流 分辨率 误差
    0 300V 0 30mA 1V ±1%
    0 60V 0 200mA 0.3V ±1.5%
    0 40V 0 1mA 0.1V ±1%
  • 稳压二极管Izr
    电流 电压 分辨率 误差
    0 500mA 0 30V 2mA ±1%
    0 100mA 0 60V 0.4mA ±1%
    0 20mA 0 250V 80nA ±2.5%
  • 稳压二极管Vzr
    电流 电压 分辨率 误差
    0 300V 0 30mA 1V ±1%
    0 60V 0 200mA 0.3V ±1.5%
    0 40V 0 1A 0.1V ±1%
  • 稳压二极管Vzf
    电压 电流 分辨率 误差
    0 5V 0 5A 2mv ±1%

(四)

  • J/M型场效应晶体管Idss
    电流 电压 分辨率 误差
    0 0.2A 0 30V 10μA ±2%
    0 30mA 0 300V 1μA ±2%
  • J型场效应晶体管Igss
    电流 电压 分辨率 误差
    0 20.00mA 0 30V 10μA ±2%
    0 200.0μA 0 30V 0.1μA ±1.5%
    0 2.00μA 0 30V 1nA ±1.5%
    0 200.0nA 0 30V 0.1nA ±1.5%
  • J型场效应晶体管BVgss
    电压 电流 分辨率 误差
    0 300V 0 30mA 1v ±2%
    0 30V 0 200mA 0.2v ±1.5%
  • J型场效应晶体管gm
    量程范围 分辨率 误差
    0.5 200mMHO 0.04mMHO ±4%
    0 100.00μA 0 40V 50nA ±3%

(五)

  • 可控硅整流器件及双向可控硅开关器件Vgt Igt
    电压 电流 分辨率 误差
    0 40V 0 20mA(可控硅整流器件) 0.2V ±1%
    0 1A (双向可控硅开关器件)0.2V ±1%
  • 可控硅整流器件及双向可控硅开关器件Vgt Igt
    电流 电压 分辨率 误差
    0 100.00mA 0 40V 50μA ±1.5%
    0 10.00mA 0 40V 5μA ±1.5%
    0 1.00mA 0 40V 0.5μA ±2%

(六)

  • 三端稳压电源集成块
    量程范围 分辨率 误差
    Vo 0 ±28V 0.1V ±2%
    Iib 0 ±20mA 1μA ±2%